英伟达要求 SK 海力士提前 6 个月供应 HBM4 芯片

GoodNav 11 月 4 日报道，根据今日路透社的消息，韩国 SK 集团的会长崔泰源透露，英伟达的 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月交付被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。

SK 海力士计划在 2025 年下半年推出首批采用 12 层 DRAM 堆叠的 HBM4 产品，而 16 层堆叠的 HBM 将稍晚于 2026 年面世。

SK 海力士与台积电于今年 4 月签署了一项合作谅解备忘录，宣布将加强在 HBM 内存基础裸片领域的合作。

在今年 7 月，有消息表明，英伟达、台积电与 SK 海力士将建立“三角联盟”，以共同推进 HBM4 等下一代技术，迎接 AI 时代。此外，有报道称 SK 海力士已与台积电达成合作，联合设计和生产部分 HBM4 系列产品，并计划于 2026 年开始量产；英伟达则负责提供产品设计。

SK 海力士于 10 月 24 日发布了 2024 财年第三季度（截至 2024 年 9 月 30 日）财报，合并收入为 17.5731 万亿韩元（备注：目前约合 908.35 亿元人民币），环比增长 7%、同比增长 94%。

在 DRAM 方面，海力士正在迅速将产线从现有的 HBM3 转向 8 层 HBM3E 产品，并且于 9 月开始量产的 12 层 HBM3E 产品将按计划在今年第四季度供货。因此，预计第三季度 DRAM 总销售额中占比 30%的 HBM 将在今年第四季度提升至 40%。